| 发明名称 | 触发电流对称的双向晶闸管 | ||
| 摘要 | 触发电流对称的双向晶闸管属于半导体器件制造技术领域。现有双向晶闸管触发电流对称性较差，对于有些对触发电流对称性要求较高的应用领域，这种器件不能满足其要求。本实用新型具有NPNPN五层结构，主电极MT1位于器件上表面，主电极MT2位于器件下表面，公用的门电极G位于器件上表面，其特征在于，在器件上表面P-区上、N+区与门极G相邻处，由主电极MT1与P-区接触区域形成一个直接旁路短路区，该直接旁路短路区是一个条形导电区，与相邻的管芯划片线平行，宽度为10~100μm。本实用新型Ⅰ+触发的触发电流IGTⅠ与Ⅲ-触发的触发电流IGTⅢ相当，触发电流对称，实现电参数的最优化。 | ||
| 申请公布号 | CN202736911U | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201220300404.9 | 申请日期 | 2012.06.26 |
| 申请人 | 吉林华微电子股份有限公司 | 发明人 | 邵长海;车振华;穆欣宇;王研 |
| 分类号 | H01L23/58(2006.01)I;H01L29/747(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/58(2006.01)I |
| 代理机构 | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人 | 陶尊新 |
| 主权项 | 一种触发电流对称的双向晶闸管，具有NPNPN五层结构，主电极MT1位于器件上表面，主电极MT2位于器件下表面，公用的门电极G位于器件上表面，其特征在于，在器件上表面P‑区（2）上、N+区（4）与门极G相邻处，由主电极MT1与P‑区（2）接触区域形成一个直接旁路短路区（3），该直接旁路短路区（3）是一个条形导电区，与相邻的管芯划片线平行，宽度为10~100μm。 | ||
| 地址 | 132013 吉林省吉林市深圳街99号 | ||