发明名称 碳纳米管膜先驱、碳纳米管膜及其制备方法
摘要 本发明涉及一种碳纳米管膜的制备方法,其包括以下步骤:提供一碳纳米管阵列形成于一基底;处理所述碳纳米管阵列,在碳纳米管阵列表面形成至少两个相互平行且间隔设置的凹槽,凹槽处碳纳米管阵列中碳纳米管的高度基本上小于等于100微米;采用一拉伸工具选定位于多个凹槽之间的碳纳米管阵列中的多个碳纳米管;采用该拉伸工具沿基本平行与凹槽长度的方向拉抽所述选定的多个碳纳米管,该多个碳纳米管沿远离碳纳米管阵列的方向首尾相连地被拉出形成多个碳纳米膜。本发明还包括一种由上述制备方法制备的碳纳米管膜,以及在制备过程中得到的碳纳米管膜先驱。
申请公布号 CN101993055B 申请公布日期 2013.02.13
申请号 CN200910109335.6 申请日期 2009.08.14
申请人 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发明人 冯辰;姜开利;陈卓;翟永超;范守善
分类号 C01B31/00(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I 主分类号 C01B31/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种碳纳米管膜先驱,其包括:一基底、一形成于基底表面的碳纳米管阵列,其特征在于,所述碳纳米管阵列的高度为大于等于200微米且小于等于400微米,该碳纳米管阵列表面具有至少两个相互平行且间隔的凹槽,凹槽处碳纳米管阵列中碳纳米管的高度为大于等于1微米且小于等于100微米,所述凹槽的宽度大于所述碳纳米管阵列中碳纳米管的高度;以及至少一个碳纳米管膜,该碳纳米管膜与碳纳米管阵列位于相邻的两个凹槽之间的部分相连,该碳纳米管膜具有一致的宽度,且该碳纳米管膜的宽度与所述相邻的两个凹槽之间的宽度相同。
地址 100084 北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室