表面发射激光器元件、表面发射激光器阵列、光学扫描装置和成像设备

摘要

本发明公开一种表面发射激光器元件。所述表面发射激光器元件包括：包括有源层的共振器结构主体、夹住共振器结构主体的第一和第二半导体分布式布拉格反射器以及限制结构，该限制结构能够通过由第一半导体分布式布拉格反射器中的包含铝的待被选择性氧化的层的选择性氧化而形成而同时界限注入电流和振荡光的横向模式。待被选择性氧化的层的厚度是28nm，并且当振荡阈值电流变成最小值时的温度为大约17℃。

主权项

一种表面发射激光器元件，该表面发射激光器元件在垂直于所述表面发射激光器元件的基板的表面的方向发光，所述表面发射激光器元件包括：共振器结构主体，其包括有源层；和第一和第二半导体分布式布拉格反射器，其夹住所述共振器结构主体并包括限制结构，所述限制结构能够通过用氧化物来围绕电流通过区域而同时限制振荡光的横向模式和注入电流，所述氧化物至少包含通过氧化包含铝的待被选择性氧化的层的一部分而形成的氧化物；其中所述待被选择性氧化的层的厚度至少为25nm；以及在温度与振荡阈值电流之间的关系中，当振荡阈值电流变成最小值时的温度为25℃或更少。