| 发明名称 | 双应力薄膜的制造方法以及半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种双应力薄膜的制造方法以及半导体器件，利用UV光照射碳化硅薄膜，使其应力从压应力转变成拉应力，解决了氮化硅薄膜双应力薄膜不能满足一些先进器件RC delay的要求的问题，并且避免传统双应力薄膜工艺存在的交叠区域问题，从而解决因为交叠区域而造成良率的损失，工艺简单易实施。 | ||
| 申请公布号 | CN102931141A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201210451685.2 | 申请日期 | 2012.11.12 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 张文广;陈玉文 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种双应力薄膜的制造方法，包括：提供一具有第一区域和第二区域的衬底，所述衬底上形成有碳化硅薄膜，所述碳化硅薄膜为压应力薄膜；在所述第一区域的碳化硅薄膜上覆盖光阻层；利用UV光照射所述第二区域的碳化硅薄膜，使所述第二区域的碳化硅薄膜转变为拉应力薄膜；去除所述第一区域的碳化硅薄膜上的光阻层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||