电路基板用氮化铝基板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种电路基板用氮化铝基板，具有平均粒径为2~5μm的氮化铝晶粒，热导率为170W/m·K以上，在本发明的电路基板用氮化铝基板中，不含枝状晶界相，且在400°C下的击穿电压为30kV/mm以上。此外，本发明还提供一种电路基板用氮化铝基板的制造方法，具备下述工序：将含有氮化铝粉末的原料在压力150Pa以下加热到1500°C，然后，利用非氧化性气体，在压力为0.4MPa以上的加压气氛下升温到1700~1900°C并进行保持，然后以10°C/分钟以下的冷却速度冷却到1600°C。

主权项

电路基板用氮化铝基板，其具有平均粒径为2~5μm的氮化铝晶粒，热导率为170W/m·K以上，不含枝状晶界相，在400°C下的击穿电压为30kV/mm以上。