| 发明名称 | 一种晶体管关键参数的可寻址测试电路及其测试方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种晶体管关键参数测量的方法，尤其是涉及一种晶体管关键参数的可寻址测试电路及其测试方法。其特征在于：晶体管的饱和电流和漏电流通过不同的测量信号线分别测量。可寻址测试电路应用于多个MOS管的测试，每个MOS管具有栅端G、漏端D、源端S和衬底B，其特征在于：各MOS管的S端或D端分别连接至不同的测量信号线上。本发明测试电路的面积利用率高，在很小的晶圆面积上就能摆放很多的MOS管，而且，每一个MOS管的Idsat、Ioffk都能得到非常准确的测量。 | ||
| 申请公布号 | CN102928763A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201210492931.9 | 申请日期 | 2012.11.28 |
| 申请人 | 杭州广立微电子有限公司 | 发明人 | 潘伟伟;郑勇军 |
| 分类号 | G01R31/26(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人 | 王桂名 |
| 主权项 | 一个应用于多个晶体管的测试方法，其特征在于：晶体管的饱和电流和漏电流通过不同的测量信号线分别测量。 | ||
| 地址 | 310000 浙江省杭州市西湖区华星路99号东软创业大厦B412室 | ||