| 发明名称 | 硅片表面的氮化硅膜的清洗液及清除方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅片表面的氮化硅膜的清洗液及清除方法。该方法包括以下步骤：采用清洗液清除硅片表面的氮化硅膜，其中清洗液含有质量比为1∶90～130的高锰酸钾和氢氟酸。应用本发明的技术方案，采用高锰酸钾和氢氟酸按照1∶90～130的质量比溶于水中配制成的清洗液对不合格的硅片(掉渣片或彩虹片)表面的氮化硅膜进行清洗，不仅可以去除表面的氮化硅膜，同时还能保证硅片的厚度，并且对硅片的腐蚀不受反应时间长短的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN102921665A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201210365546.8 | 申请日期 | 2012.09.27 |
| 申请人 | 英利能源（中国）有限公司 | 发明人 | 王振如 |
| 分类号 | B08B3/08(2006.01)I;B08B3/02(2006.01)I;C11D7/10(2006.01)I;C11D7/08(2006.01)I | 主分类号 | B08B3/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴贵明;张永明 |
| 主权项 | 一种硅片表面的氮化硅膜的清除方法，其特征在于，包括以下步骤：采用清洗液清除所述硅片表面的氮化硅膜，其中所述清洗液含有质量比为1∶90～130的高锰酸钾和氢氟酸。 | ||
| 地址 | 071051 河北省保定市朝阳北大街3399号 | ||