发明名称 |
一种具有超晶格结构的新型薄膜太阳电池 |
摘要 |
本发明一种具有超晶格结构的新型薄膜太阳电池属于新型薄膜太阳电池的结构设计和制备之技术领域。随着第三代太阳电池概念的提出和薄膜太阳电池研究的发展,基于多带隙半导体太阳电池模型,半导体超晶格薄膜在太阳电池领域的应用备受关注。本发明为了提高薄膜太阳电池的效率,设计出对应于第三代太阳电池概念的单带差超晶格薄膜结构,该结构的关键之处,是采用两个单层薄膜夹住超晶格纳米薄膜,形成三明治结构;并首次提出了使用脉冲激光沉积技术来制备这种新型薄膜太阳电池的技术方法。这种单带差超晶格薄膜太阳电池的设计和制备为开发新型高效率的太阳电池提供了一个方向。 |
申请公布号 |
CN102931275A |
申请公布日期 |
2013.02.13 |
申请号 |
CN201210417678.0 |
申请日期 |
2012.10.29 |
申请人 |
四川大学 |
发明人 |
黎兵;冯良桓;曾广根;蔡亚平;张静全;李卫;武莉莉;王文武 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
单带差超晶格薄膜太阳电池的提出及其研制,其特征是利用气体脉冲激光沉积等超晶格结构制备技术,制备新型的薄膜太阳电池,包括:单带差超晶格的结构;单带差超晶格的材料;单带差超晶格薄膜太阳电池的研制环节。 |
地址 |
610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号 |