| 主权项 |
一种磁场检测器，其特征在于，包括霍尔盘，霍尔盘检测到磁场产生的感应电压通过第一级调制器送到运算放大器(CPA1)中，运算放大器(CPA1)将放大后的感应电压通过第二级调制器和低通滤波器(LF1)消除运算放大器(CPA1)的失调电压影响，并通过低通滤波器(LF1)中的开关电容电路得到需要比较的电压，最后输入到比较器(COMP1)中和温度及电压自补偿电路的输出电压进行比较得到最终的输出；所述的温度及电压自补偿电路由分压电阻梯组成，在电源(VDD)与地(GND)之间依次包括第一电阻(R10)、第二电阻(R20)、第三电阻(R30)、第四电阻(R40)，其中第一电阻(R10)和第四电阻(R40)为与霍尔盘相同注入浓度的N阱电阻，第二电阻(R20)和第三电阻(R30)为多晶硅电阻，并且第一电阻(R10)和第四电阻(R40)在版图上靠近霍耳盘，从而使得在进行离子注入时和霍耳盘的注入浓度相同，并获得和霍耳盘完全一样的温度和电压特性；第二级调制器和低通滤波器(LF1)合并为一组开关电容电路，合并形成的开关电容电路在消除运算放大器(CPA1)的失调电压的同时提供比较器(COMP1)的输入电压；合并形成的开关电容电路包括：第三电容(C3)、第四电容(C4)和第五电容(C5)，所述第三电容(C3)和所述第四电容(C4)的电容值相等，所述第五电容(C5)的电容值为所述第三电容(C3)的电容值的两倍；所述第三电容(C3)的正极板通过第一开关连接运算放大器(CPA1)的同相输出端(VOP)；所述第三电容(C3)的负极板通过第二开关连接运 算放大器(CPA1)的反相输出端(VON)；所述第三电容(C3)的负极板通过第三开关连接第一参考电压(VC)；所述第三电容(C3)的正极板通过第四开关连接比较器(COMP1)的同相输入端；所述第四电容(C4)的正极板通过第五开关连接运算放大器(CPA1)的反相输出端(VON)；所述第四电容(C4)的负极板通过第六开关连接运算放大器(CPA1)的同相输出端(VOP)；所述第四电容(C4)的负极板通过第七开关连接第一参考电压(VC)；所述第四电容(C4)的正极板通过第八开关连接比较器(COMP1)的同相输入端；所述第五电容(C5)的正极板通过第九开关连接第二参考电压(VH)；所述第五电容(C5)的正极板通过第十开关连接第三参考电压(VL)；所述第五电容(C5)的负极板连接第一参考电压(VC)；所述第五电容(C5)的正极板通过第十一开关连接比较器(COMP1)的同相输入端；所述第一开关和所述第二开关都由第一时钟信号(CP1)控制；所述第五开关和所述第六开关都由第二时钟信号(CP2)控制；所述第三开关、所述第四开关、所述第七开关、所述第八开关和第十一开关都由第三时钟信号(STRB)控制；所述第九开关由比较器(COMP1)的输出信号(DOUT)和第一时钟信号(CP1)的与信号控制；所述第十开关由比较器(COMP1)的输出信号(DOUT)的非信号和第一时钟信号(CP1)的与信号控制；所述第一参考电压(VC)由所述的温度及电压自补偿电路的所述第二电阻(R20)和所述第三电阻(R30)的连接点处输出；所述第二参考电压(VH)由所述的温度及电压自补偿电路的所述第一电阻(R10)和所述第二电阻(R20)的连接点处输出；所述第三参考电压(VL)由所述的温度及电 压自补偿电路的所述第三电阻(R30)和所述第四电阻(R40)的连接点处输出。 |
