发明名称 |
白色LED芯片及其形成方法 |
摘要 |
一种白色LED芯片及其形成方法,白色LED芯片,包括:硅衬底,依次位于硅衬底上的第一缓冲层,第一有源层,第一帽层;分别穿过第一缓冲层、第一有源层延伸至第一帽层的第一沟槽,在第一沟槽内具有第二缓冲层、第二有源层以及第二帽层;分别穿过第一缓冲层、第一有源层延伸至第一帽层的第二沟槽,在第二沟槽内具有第三缓冲层、第三有源层以及第三帽层;所述第一有源层、第二有源层、第三有源层分别选自蓝光有源层、绿光有源层以及红光有源层其中之一,且为不同色彩的有源层。本发明使一个LED芯片同时发出红、绿和蓝三种颜色光,在三种颜色光混合后可以发出白光;并且,使用晶向为沿(111)晶面偏离1~9°的硅衬底,可以减少缓冲层与硅衬底之间的位错。 |
申请公布号 |
CN102130144B |
申请公布日期 |
2013.02.13 |
申请号 |
CN201010503784.1 |
申请日期 |
2010.09.28 |
申请人 |
映瑞光电科技(上海)有限公司 |
发明人 |
张汝京;肖德元 |
分类号 |
H01L27/15(2006.01)I;H01L33/16(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L27/15(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种白色LED芯片,其特征在于,包括:硅衬底,所述硅衬底的晶向为沿晶向(111)方向偏离1~9°,位于所述硅衬底上的第一缓冲层,位于所述第一缓冲层上的第一有源层,位于所述第一有源层上的第一帽层;还包括:第一沟槽,所述第一沟槽分别穿过所述第一帽层、第一有源层延伸至第一缓冲层,在所述第一沟槽内具有第二缓冲层、第二有源层以及第二帽层,且所述第二缓冲层位于所述硅衬底上,所述第二有源层位于所述第二缓冲层上,所述第二帽层位于所述第二有源层上;第二沟槽,所述第二沟槽分别穿过所述第一帽层、第一有源层延伸至第一缓冲层,在所述第二沟槽内具有第三缓冲层、第三有源层以及第三帽层,且所述第三缓冲层位于所述硅衬底上,所述第三有源层位于所述第三缓冲层上,所述第三帽层位于所述第三有源层上;其中,所述第一有源层、第二有源层、第三有源层分别选自蓝光有源层、绿光有源层以及红光有源层其中之一,且第一有源层、第二有源层、第三有源层分别为不同色彩的有源层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区牛顿路200号5号楼101室 |