发明名称 |
多坩埚物理气相传输技术生长碳化硅单晶的方法和装置 |
摘要 |
一种多坩埚物理气相传输技术生长碳化硅单晶的方法和装置,其特征为:在碳化硅单晶生长过程中,采用多坩埚生长技术,上、下排列的两个石墨坩埚同时置于炉膛内的石墨发热体中,上坩埚悬挂在提拉杆上,下坩埚倒置于下降杆上,两籽晶位于石墨发热体两端,位于低温区,原料位于石墨发热体中部,位于高温区,上、下坩埚的温度由主控温和次控温装置决定。采用该方法生长的碳化硅晶体,生产效率高,生产成本低,适用于规模化单晶生长。 |
申请公布号 |
CN102925967A |
申请公布日期 |
2013.02.13 |
申请号 |
CN201110228769.5 |
申请日期 |
2011.08.10 |
申请人 |
李汶军;李根法 |
发明人 |
李汶军;李根法 |
分类号 |
C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I |
主分类号 |
C30B23/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种物理气相传输技术生长碳化硅单晶的方法和装置,其装置结构包括真空炉、感应线圈、保温材料、石墨发热体和石墨坩埚,其中石墨发热体被包裹在保温材料中,感应线圈位于保温材料外部,石墨坩埚位于石墨发热体和保温材料构成的炉膛内,石墨坩埚底部为碳化硅原料,坩埚上部为碳化硅籽晶,其特征在于:在碳化硅单晶生长过程中,采用多坩埚生长技术,上、下排列的两个石墨坩埚同时置于炉膛内的石墨发热体中,上坩埚悬挂在提拉杆上,下坩埚倒置于下降杆上,上、下坩埚的温度由主控温和次控温装置决定。 |
地址 |
200072 上海市闸北区共和新路2999号7号楼203室 |