| 发明名称 | 表面处理方法、由碳化硅形成的部件和等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供表面处理方法、由碳化硅形成的部件和等离子体处理装置。该表面处理方法是表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的表面处理方法，其特征在于，具有：准备表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的工序；在氧等离子体中加热上述破碎层，使部件表面的碳化硅进行SiOxCy化的工序；和对进行了上述SiOxCy化的部件表面进行氢氟酸处理将其溶析而除去的工序，通过将由上述破碎层构成的部件表面改性为致密层，使在将上述部件应用于等离子体处理装置时从上述部件表面释放出的粒子数减少。 | ||
| 申请公布号 | CN102931056A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201210391650.4 | 申请日期 | 2010.07.09 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 佐藤直行;长山将之;长久保启一 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的表面处理方法，其特征在于，具有：准备表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的工序；在氧等离子体中加热所述破碎层，使所述部件表面的碳化硅进行SiOxCy化的工序；和对进行了所述SiOxCy化的部件表面进行氢氟酸处理使其溶析而除去的工序，通过将由所述破碎层构成的部件表面改性为致密层，使在将所述部件应用于等离子体处理装置时从所述部件表面释放出的粒子数减少。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||