半导体器件及其制造方法

摘要

本发明实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：提供基底，所述基底上具有垫氧化层；在所述垫氧化层上形成具有隔离区图案的氧化阻挡层；在所述具有隔离区图案的氧化阻挡层的隔离区图案内形成与氧化阻挡层边缘相邻的补偿侧墙；以所述具有隔离区图案的氧化阻挡层和补偿侧墙为掩膜，在所述基底的隔离区内形成场氧化层。本发明所提供的半导体器件制造方法，在LOCOS工艺过程中，能有效地控制场氧化层在横向上扩散至氧化阻挡层边缘附近处所形成的“鸟嘴”的长度，进而可减小或避免“鸟嘴效应”的发生，从而可增加基底上有效管芯的数目。

主权项

一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有垫氧化层；在所述垫氧化层上形成具有隔离区图案的氧化阻挡层；在所述具有隔离区图案的氧化阻挡层的隔离区图案内形成与氧化阻挡层边缘相邻的补偿侧墙；以所述具有隔离区图案的氧化阻挡层和补偿侧墙为掩膜，在所述基底的隔离区内形成场氧化层。