| 发明名称 | 忆阻器器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种忆阻器器件及其制备方法。该忆阻器器件包括：衬底；形成于衬底之上的下电极；形成于下电极之上的记忆存储层；以及形成于记忆存储层之上的上电极。所述记忆存储层由两层具有不同氧元素含量的氧化物材料构成。制备该忆阻器器件的方法包括：在衬底上生长导电材料作为下电极；在下电极上生长记忆存储层，所述记忆存储层由双层氧化物材料构成，其中两层氧化物材料中氧元素的含量不同；在记忆存储层上生长导电材料作为上电极。本发明制备方法简单，制备工艺与传统的CMOS工艺兼容，在存储器领域有一定的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN102931346A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201110230881.2 | 申请日期 | 2011.08.12 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘明;李颖弢;龙世兵;吕杭炳;刘琦 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种忆阻器器件，其特征在于，包括：衬底(100)；形成于衬底(100)之上的下电极(101)；形成于下电极(101)之上的记忆存储层(102)；以及形成于记忆存储层(102)之上的上电极(103)。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||