| 发明名称 | 一种锗基MOSFET栅介质的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种锗基MOSFET栅介质的制备方法，包括：步骤1：清洗锗衬底表面；步骤2：在清洗后的锗衬底表面沉积阻挡层；步骤3：利用氧等离子体处理所述沉积了阻挡层的锗衬底表面，在阻挡层与锗衬底的界面处形成二氧化锗层；步骤4：在氧等离子体氧化后的锗衬底表面沉积高介电常数的栅氧化物层。利用本发明，可以将锗基MOSFET的等效氧化层厚度降低到1纳米以下，从而有效提高了锗基MOSFET的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102931068A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201210482786.6 | 申请日期 | 2012.11.23 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 孙兵;刘洪刚;王盛凯;赵威 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种锗基MOSFET栅介质的制备方法，其特征在于，包括：步骤1：清洗锗衬底表面；步骤2：在清洗后的锗衬底表面沉积阻挡层；步骤3：利用氧等离子体处理所述沉积了阻挡层的锗衬底表面，在阻挡层与锗衬底的界面处形成二氧化锗层；步骤4：在氧等离子体氧化后的锗衬底表面沉积高介电常数的栅氧化物层。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||