| 发明名称 | 一种薄膜体声波谐振器基片及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器基片及其制备方法，所述薄膜体声波谐振器基片采用W/压电薄膜/W/DLC/空气隙/Si结构。W/压电薄膜/W/DLC/空气隙/Si结构的薄膜体声波谐振器(FBAR)基片，具有高频、高Q、很好的频率稳定性的特点。可用于制作无线通信系统中的滤波器、双工器等，也可以与敏感膜结合，制作高性能的传感器。 | ||
| 申请公布号 | CN102931941A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201210420681.8 | 申请日期 | 2012.10.29 |
| 申请人 | 天津理工大学 | 发明人 | 杨保和;张乾坤;苏林;徐晟 |
| 分类号 | H03H9/17(2006.01)I;H03H3/02(2006.01)I | 主分类号 | H03H9/17(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人 | 廖晓荣 |
| 主权项 | 一种薄膜体声波谐振器基片，其特征在于所述薄膜体声波谐振器基片采用W/压电薄膜/W/DLC/空气隙/Si结构。 | ||
| 地址 | 300384 天津市西青区宾水西道391号 | ||