| 发明名称 | 一种深紫外氟化镁晶体生长方法 | ||
| 摘要 | 一种深紫外氟化镁晶体生长方法，它涉及单晶生长技术领域。它包括步骤为：将MgF2和ZnF2混合粉体和种晶放入铂坩埚；将铂坩埚放入单晶炉中，将单晶炉内通入氮气；采用开放式提拉法生长氟化镁单晶。本发明生长晶体完整性好，无气泡无包络物，晶体尺寸大，不易开裂，紫外波段透过率高，成品率高，工艺设备简单，能耗低，有利于实现工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN102925963A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201210448959.2 | 申请日期 | 2012.10.31 |
| 申请人 | 合肥嘉东科技有限公司 | 发明人 | 王冬;胡卫东 |
| 分类号 | C30B15/00(2006.01)I;C30B29/12(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种深紫外氟化镁晶体生长方法，包括以下步骤：将MgF2和ZnF2混合粉体和种晶放入铂坩埚；将铂坩埚放入单晶炉中，将单晶炉内通入氮气；采用开放式提拉法生长氟化镁单晶。 | ||
| 地址 | 安徽省合肥经济技术开发区明珠广场3号楼 | ||