双应力薄膜的制造方法以及半导体器件

摘要

本发明公开了一种双应力薄膜的制造方法以及半导体器件，在含氮的碳化硅薄膜上覆盖一层不含氮的碳化硅薄膜，所述不含氮的碳化硅薄膜可阻止含氮的碳化硅薄膜中的游离氮污染光阻层，避免后续光刻工艺中光阻失效而导致曝光效率的下降，从而影响最终应力目标值和均匀性的风险；同时，利用UV光照射碳化硅薄膜，经过UV光照射的碳化硅薄膜从压应力薄膜转变成拉应力薄膜，解决了氮化硅薄膜双应力薄膜不能满足一些先进器件RC delay的要求的问题，并且避免传统双应力薄膜工艺存在的交叠区域问题，从而防止因为交叠区域而造成良率的损失，工艺简单易实施。

主权项

一种双应力薄膜的制造方法，包括：提供一具有第一区域和第二区域的衬底；在所述衬底上形成碳化硅薄膜，所述碳化硅薄膜包括形成于所述衬底上的含氮的碳化硅薄膜以及覆盖所述含氮的碳化硅薄膜的不含氮的碳化硅薄膜，所述碳化硅薄膜为压应力薄膜；在所述第一区域的碳化硅薄膜上覆盖光阻层；利用UV光照射所述第二区域的碳化硅薄膜，使所述第二区域的碳化硅薄膜转变为拉应力薄膜；去除所述第一区域的碳化硅薄膜上的光阻层。