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发明名称
STRUCTURE AND FABRICATION OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR HAVING NITRIDED GATE DIELECTRIC LAYER WITH TAILORED VERTICAL NITROGEN CONCENTRATION PROFILE
摘要
申请公布号
EP2412017(A4)
申请公布日期
2013.02.13
申请号
EP20100756494
申请日期
2010.03.25
申请人
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人
CHAPARALA, PRASAD;PARKER, D., COURTNEY
分类号
H01L21/70;H01L21/28;H01L29/02;H01L29/10;H01L29/51
主分类号
H01L21/70
代理机构
代理人
主权项
地址
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