| 发明名称 | 利用连续在线真空沉积工序平坦化导通孔的接触区域的系统及方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种多层式电子器件，包括：绝缘基板(212)；气相沉积的第一导体层(312)，其位于所述绝缘基板(212)上；气相沉积的第一绝缘层(314)，其位于所述第一导体层(312)上，所述第一绝缘层(314)中具有至少一个过孔(316)；以及气相沉积的导电填充剂(320)，其位于所述第一绝缘层(314)的过孔(316)中。优选的是，所述导电填充剂(320)沉积在所述第一绝缘层(314)的过孔(316)中，使得所述导电填充剂(320)的与所述第一导体层(312)相对的表面相对于所述第一绝缘层(314)的与所述第一导体层(312)相对的表面基本上共面。 | ||
| 申请公布号 | CN101180714B | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN200680003398.8 | 申请日期 | 2006.01.26 |
| 申请人 | 阿德文泰克全球有限公司 | 发明人 | 托马斯·P·布罗迪;约瑟夫·A·马尔卡尼奥 |
| 分类号 | H01L21/4763(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/4763(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 顾红霞;张天舒 |
| 主权项 | 一种形成多层式电子器件的方法，包括：(a)经由第一阴影掩模在绝缘基板(212)上气相沉积第一导体层(312)；(b)经由第二阴影掩模在所述第一导体层(312)上气相沉积第一绝缘层(314)，所述第一绝缘层(314)中具有至少一个过孔(316)；(c)经由第三阴影掩模的开口在所述第一绝缘层(314)的过孔(316)中气相沉积第一导电填充剂(320a)；以及(d)经由第四阴影掩模在所述第一绝缘层(314)上气相沉积第二导体层(318)。 | ||
| 地址 | 英属维尔京群岛托托拉岛 | ||