N沟道耗尽型功率MOSFET器件及制造方法

摘要

本发明提供一种N沟道耗尽型功率MOSFET器件及制造方法，所述制造方法包括，进行离子注入和退火工艺，以在所述栅极之间的有源区中形成P型阱区，并且在进行离子注入和退火工艺的步骤之间，进行氧化工艺；以及进行电子辐照工艺，以在相邻的两个P型阱区中相临近的两源区之间形成耗尽层，通过电子辐照工艺，被电子辐照产生的电子在器件的硅表面形成电子导通沟道，即形成耗尽层，也使形成的MOSFET器件具有较短的反向恢复时间，进而提升了产品的性能；同时，增加电子辐照工艺的方法与常规功率MOSFET器件的制造工艺相兼容，并不需要增加单独的版来进行沟道注入工艺，进而节约工艺步骤，提高生产效率，降低生产成本。

主权项

一种N沟道耗尽型功率MOSFET器件的制造方法，包括提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成外延层，所述外延层包括分压环形成区和有源区；在所述有源区中进行离子场注入工艺和退火工艺，以形成离子场注入区；在所述有源区上形成栅极；进行离子注入和退火工艺，以在所述栅极之间的有源区中形成P型阱区，并且在进行离子注入和退火工艺的步骤之间，进行氧化工艺；在所述P型阱区中形成P型接触区及P型接触区旁的N+源区；对所述半导体衬底进行电子辐照工艺，以在相邻的两个P型阱区中相临近的两N+源区之间形成耗尽层。