一种SiC衬底转移石墨烯的退火工艺及制做的器件

摘要

本发明公开了一种SiC衬底转移石墨烯的退火工艺，采用高温退火的方式，修复衬底转移过程中产生的石墨烯缺陷，进一步去除转移过程中没能去除或是新引进的杂质。同时，高温退火还可以使衬底与石墨烯接触得到改善，建立预期的衬底影响，在石墨烯中引入禁带。最终使转移石墨烯表面更洁净，缺陷更少，石墨烯平整与SiC衬底接触更好。本发明由于采用在Ar气气氛中较低温度退火，有效的去除石墨烯表面吸附的水分子和其他杂质分子；由于采用高于1000℃的高退火温度，得以形成衬底上附着石墨烯与SiC衬底的有效接触。

主权项

一种SiC衬底转移石墨烯的退火工艺，其特征在于，采用高温退火的方式，修复衬底转移过程中产生的石墨烯缺陷，进一步去除转移过程中没能去除或是新引进的杂质；同时高温退火，在石墨烯中引入禁带。