一种发光二极管激光刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管激光刻蚀方法，所述方法用于进行集成式发光二极管的隔离沟槽的刻蚀，所述方法包括：按照预定尺寸用于制造所述集成式发光二级管的外延片表面制作沟槽图形；通过激光划刻设备按照沟槽图形对所述外延片的外延层进行沟槽的划刻，直到沟槽达到外延片的衬底；在沟槽中形成介质绝缘层。本发明还公开了利用激光刻蚀的集成式发光二极管制造方法。本发明通过利用激光划刻设备来进行集成式发光二极管的隔离沟槽刻蚀，不需要生长很厚的掩模层，减小了隔离沟槽形成时间，减小了工序长度，提高了产品的良率，大大降低了产品成本。

主权项

一种发光二极管激光刻蚀方法，用于进行集成式发光二极管的隔离沟槽的刻蚀，所述方法包括：按照预定尺寸在用于制造所述集成式发光二级管的外延片表面制作沟槽图形；通过激光划刻设备按照沟槽图形对所述外延片的外延层进行沟槽的划刻，直到沟槽达到外延片的衬底。