| 发明名称 | 操作闪速存储器装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种操作闪速存储器装置的方法，该方法包括：在所述闪速存储器装置的存储器单元上进行第一编程操作；根据所述存储器单元的阈值电压的电平进行区分所述存储器单元的校验操作；以及进行第二编程操作，使得具有低于目标电压的阈值电压的存储器单元的阈值电压与所述阈值电压的电平成反比地增加，其中逐步增加编程电压来重复进行所述校验操作和所述第二编程操作，直到每个存储器单元的阈值电压都高于目标电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101441892B | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN200810126884.X | 申请日期 | 2008.07.10 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金占寿;金泰均 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杨林森;康建峰 |
| 主权项 | 一种操作闪速存储器装置的方法，该方法包括：在所述闪速存储器装置的存储器单元上进行第一编程操作；根据所述存储器单元的阈值电压的电平进行区分所述存储器单元的校验操作；以及进行第二编程操作，使得具有低于目标电压的阈值电压的存储器单元的阈值电压与所述阈值电压的电平成反比地增加，其中逐步增加编程电压来重复进行所述校验操作和所述第二编程操作，直到每个存储器单元的阈值电压都高于目标电压。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||