发明名称 |
一种提高导电胶的导电逾渗效能的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种提高导电胶的导电逾渗效能的方法。本发明还涉及一种通过形成修饰过的导电胶而得到的导电粘结材料,该导电粘结材料含有树脂基质和导电填料。树脂基质是通过提供热塑性树脂类或者热固性树脂类的聚合物树脂而形成的。导电填料是一种金属填料,并且适合作为树脂基质中的导电填料。该金属填料是通过使用选自卤素、拟卤素或者它们的前体中的材料而进行修饰的。 |
申请公布号 |
CN101602929B |
申请公布日期 |
2013.02.13 |
申请号 |
CN200910142305.5 |
申请日期 |
2009.05.27 |
申请人 |
香港科技大学 |
发明人 |
杨诚;袁铭辉;徐兵 |
分类号 |
C09J201/00(2006.01)I;C09J9/02(2006.01)I;C09J11/04(2006.01)I;C09J179/08(2006.01)I;C09J163/00(2006.01)I;C09J183/04(2006.01)I;C09J179/04(2006.01)I;C09C1/62(2006.01)I;C09C3/06(2006.01)I;C09C3/08(2006.01)I |
主分类号 |
C09J201/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
丁业平;张天舒 |
主权项 |
一种制作导电粘结材料的方法,该方法包括以下步骤:提供热固性树脂类或者热塑性树脂类的聚合物树脂基质;提供适合分散在所述聚合物树脂基质中作为导电填料的金属填料;通过使用选自卤素、拟卤素或者它们的前体中的材料来对所述导电填料进行修饰,所述修饰能在所述导电填料的表面上产生由非化学配比的金属卤化物或者金属拟卤化物形成的纳米结构,并且该纳米结构包含金属分子簇,该纳米结构的尺寸在0.5纳米到1微米之间;以及将所述聚合物树脂基质和所述导电填料混合,其中,将所述聚合物树脂基质和所述导电填料混合的步骤以及对所述导电填料进行修饰的步骤制成了修饰过的导电胶。 |
地址 |
中国香港九龙清水湾 |