发明名称 |
有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法,包括如下步骤:提供一衬底;在衬底上形成TFT;接着在上述衬底上方继续沉积钝化层覆盖源极电极及漏极电极;在钝化层上形成光刻胶层进行蚀刻,形成暴露源极电极或漏极电极的第一接触孔并去除剩余光刻胶层;接下来继续在第一接触孔上形成光敏性或者蚀刻型有机平坦化层,对有机平坦化层进行曝光,曝光掩膜为区域透光式掩膜,第一接触孔的位置为全曝光,像素电极区域A为半曝光,其余区域为不曝光;最后,在衬底的整个表面形成像素电极。本发明提供的有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法,将现有的两次平坦化工艺减少为一次平坦化层工艺,减少了一次掩膜工艺,可有效降低成本。 |
申请公布号 |
CN102427061B |
申请公布日期 |
2013.02.13 |
申请号 |
CN201110419047.8 |
申请日期 |
2011.12.15 |
申请人 |
昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
发明人 |
王磊;邱勇;黄秀颀;李建文;费国东 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
上海申汇专利代理有限公司 31001 |
代理人 |
金碎平 |
主权项 |
一种有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一衬底(30);在衬底(30)上形成缓冲层、半导体层(31)、源极区域(34‑1)、漏极区域(34‑2)和栅极绝缘层(32);在上述衬底(30)上继续形成栅极电极(33)、层间绝缘层(35)、源极电极(37‑1) 及漏极电极(37‑2),所述源极电极(37‑1)通过通孔(36‑1)和源极区域(34‑1)相连,所述漏极电极(37‑2)通过通孔(36‑2)和漏极区域(34‑2)相连;接着在上述衬底(30)上方继续沉积钝化层(38)覆盖源极电极(37‑1) 及漏极电极(37‑2);在钝化层(38)上形成光刻胶层进行蚀刻,形成暴露漏极电极的第一接触孔(39)并去除剩余光刻胶层;接下来继续在第一接触孔(39)上形成光敏性或者蚀刻型有机平坦化层(40),对有机平坦化层(40)进行曝光,曝光掩膜为区域透光式掩膜,第一接触孔(39)的位置为全曝光,形成第二接触孔(41),所述第二接触孔(41)和第一接触孔(39)相贯通,像素电极区域A为半曝光,其余区域为不曝光;最后,在衬底(30)的整个表面形成透明导电层,利用曝光、显影和蚀刻方式形成像素电极(42),所述像素电极(42)通过第一接触孔(39)、第二接触孔(41)连接到漏极电极上。 |
地址 |
215300 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路188号 |