| 发明名称 | 烧结硅晶片 | ||
| 摘要 | 一种烧结硅晶片，其最大结晶粒径为20μm以下，平均结晶粒径为1μm以上、10μm以下，并且从直径400mm以上的硅晶片选取多个试验样品进行测定时具有以下机械特性，所述机械特性为：通过三点弯曲法测得的抗弯强度的平均值为20kgf/mm2以上、50kgf/mm2以下，拉伸强度的平均值为5kgf/mm2以上、20kgf/mm2以下，维氏硬度的平均值为Hv800以上、Hv1200以下。本发明提供一种烧结硅晶片，即使当其为大型圆盘状烧结硅晶片时也具有一定的强度，并且机械物性与单晶硅的机械物性类似。 | ||
| 申请公布号 | CN101687709B | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN200880023643.0 | 申请日期 | 2008.07.04 |
| 申请人 | JX日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 铃木了;高村博 |
| 分类号 | H01L29/04(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 樊卫民;郭国清 |
| 主权项 | 一种烧结硅晶片，其特征在于，最大结晶粒径为20μm以下，平均结晶粒径为1μm以上、10μm以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||