| 发明名称 | 含咔唑的有机半导体材料及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种含咔唑的有机半导体材料及其制备方法与应用。该含咔唑的有机半导体材料为分子结构通式(I)表示的聚合物，通式(I)中，R为-F、-CN或-NO<sub>2</sub>。本发明含咔唑的有机半导体材料具有优良的双极性传输和高热稳定性的特性，以及具有良好的溶解性和成膜性，从而扩展了其应用范围。通过光谱测试得知，该含咔唑的有机半导体材料的最大发光波长在蓝光范围、具有高的三线态能级。该含咔唑的有机半导体材料制备方法只需通过控制反应条件以及反应物的用量即可获得，工艺简单，易于操作和控制，安全性高和产物的得率高，降低了生产成本，适合于工业化生产。<img file="DDA0000082025920000011.GIF" wi="672" he="721" /> | ||
| 申请公布号 | CN102924519A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201110226857.1 | 申请日期 | 2011.08.09 |
| 申请人 | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 | 发明人 | 周明杰;王平;梁禄生;张振华 |
| 分类号 | C07F9/572(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 主分类号 | C07F9/572(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人 | 张全文 |
| 主权项 | 1.一种含咔唑的有机半导体材料，其分子结构通式为下述(I)：<img file="FDA0000082025890000011.GIF" wi="872" he="589" />(I)式中，R为-F、-CN或-NO<sub>2</sub>。 | ||
| 地址 | 518052 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层 | ||