发明名称 |
一种晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺 |
摘要 |
本发明公开一种晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺,其特征在于包括以下步骤:将已经制绒的硅片送入扩散反应炉管;通入氮气、氧气、氮气携带三氯氧磷气体;升高炉管温度;保持一定的温度,通入氧气;通入氮气,降温,即制得扩散结。本发明方法增加了硅片扩散层表面扩散浓度,降低了硅片与浆料的接触电阻,减少电池片烧结不良比例。 |
申请公布号 |
CN102931280A |
申请公布日期 |
2013.02.13 |
申请号 |
CN201210454858.6 |
申请日期 |
2012.11.14 |
申请人 |
东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司 |
发明人 |
黄仑;侯泽荣;卢春晖;王金伟;蒋志强 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;C30B31/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
南京天华专利代理有限责任公司 32218 |
代理人 |
夏平 |
主权项 |
一种晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺,其特征在于它包括以下步骤:(1)将已经制绒的硅片送入扩散反应炉管,炉管温度在10min内加热至750‑810℃,同时通入氮气流量5‑8slm,持续3min;(2)通入氮气流量3‑7slm,氧气流量400‑600sccm,氮气携带三氯氧磷气体流量1300‑1700sccm,持续10‑16min;(3)以5℃每分钟的速率升高炉管温度至840‑850℃,同时通入氮气流量为10‑15slm;(4)保持温度在820‑850℃,通入氧气流量为3‑5slm,持续10‑16min;(5)通入氮气流量为15‑20slm,降温至780℃,即制得扩散结。 |
地址 |
214203 江苏省无锡市宜兴市经济开发区文庄路6号 |