| 发明名称 | IGBT集电极结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种IGBT集电极结构，包括N-型基区，还包括在N-型基区的背面形成的间隔分布N+型区域层，以及在N-型基区的背面，上述间隔分布N+型区域层未覆盖区域形成的间隔分布P+型集电极层。所述间隔分布N+型区域层是由五价元素在N-型基区的背面间隔注入后，并且跟随着经历了N-型基区的正面的所有热过程后形成。或者所述间隔分布N+型区域层是通过在N-型基区的背面外延生长一层N+型层，然后通过间隔刻蚀后，并且跟随着经历了N-型基区的正面的所有热过程后得到。本发明用于形成IGBT的集电极结构。 | ||
| 申请公布号 | CN102931223A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201210494615.5 | 申请日期 | 2012.11.28 |
| 申请人 | 江苏物联网研究发展中心 | 发明人 | 陈宏;朱阳军;吴凯;徐承福;卢烁今 |
| 分类号 | H01L29/417(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/417(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人 | 曹祖良 |
| 主权项 | 一种IGBT集电极结构，包括N‑型基区(3)，其特征在于：还包括在N‑型基区(3)的背面形成的间隔分布N+型区域层(5)，以及在N‑型基区(3)的背面，上述间隔分布N+型区域层(5)未覆盖区域形成的间隔分布P+型集电极层(6)。 | ||
| 地址 | 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座 | ||