具备肖特基能障的定电流半导体元件

摘要

本发明为一种定电流半导体元件，特别是指一种利用金属/半导体接触原理制成具备肖特基能障(Schottky Barrier)的定电流半导体元件。其构造于一成长在半绝缘基板上的N型或P型半导体磊晶层(Epitaxial Layer)表面设置第一、二金属电极端，其中第一金属电极端与磊晶层之间包括有第一殴姆接触(Ohmic Contact)区段及肖特基接触(Schottky Contact)区段，第二金属电极端与磊晶层之间为第二殴姆接触区段，使该半导体元件具备肖特基能障及定电流的特性，不但具有较低启动电压，而且其制程中容易将数个隔离单体积体组合成适用于较大驱动电流的定电流半导体元件。

主权项

一种具备肖特基能障的定电流半导体元件，其特征在于，于一成长在半绝缘基板上的N型或P型半导体磊晶层表面，设置有供电气连接的一个第一金属电极端及第二金属电极端，该第一金属电极端与磊晶层之间包括有一第一殴姆接触区段以及一肖特基接触区段，第二金属电极端与上述磊晶层之间则为一第二殴姆接触区段，且所述的肖特基接触区段位于第一、二殴姆接触区段之间，与第二殴姆接触区段相互隔离。