发明名称 闪存的资料写入方法
摘要 一种闪存的资料写入方法,适用于由一切换单元控制一位线的闪存。该闪存的资料写入方法包括施加一方波信号至闪存的字符线,同时施加一递减信号至切换单元,致使闪存的位线接收一稳定的漏极电压。
申请公布号 CN101369456B 申请公布日期 2013.02.13
申请号 CN200710142518.9 申请日期 2007.08.15
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 何之浩;易成名
分类号 G11C16/10(2006.01)I 主分类号 G11C16/10(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汤保平
主权项 一种闪存的资料写入方法,适用于由一切换单元控制一位线的一闪存,其特征在于,该闪存的资料写入方法包括:施加一递减信号至该切换单元,致使该闪存的该位线接收一漏极电压,其中该递减信号的电压准位,随着写入时间的增加而递减;以及于该递减信号的信号作用期间,施加一字符线信号至该闪存的一字符线。
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号