发明名称 一种双极结晶体管及其制造方法
摘要 本发明公开了一种双极结晶体管及其制造方法。该双极结晶体管包括阱区、射电极、基电极、集电极与导电层。射电极、基电极与集电极通过阱区互相分开。导电层位于基电极与集电极之间的阱区上。该双极结晶体管的制造方法,包括:形成一导电层于一阱区上;以及形成一射电极、一基电极与一集电极于该阱区中,其中该射电极、该基电极与该集电极通过该阱区互相分开,该导电层位于该基电极与该集电极之间的该阱区上。
申请公布号 CN102931225A 申请公布日期 2013.02.13
申请号 CN201110226834.0 申请日期 2011.08.09
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 张晋伟;詹景琳;吕晋贤;李明东;杜硕伦
分类号 H01L29/73(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I 主分类号 H01L29/73(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 周国城
主权项 一种双极结晶体管,包括:一阱区;一射电极;一基电极;一集电极,其中该射电极、该基电极与该集电极通过该阱区互相分开;以及一导电层,位于该基电极与该集电极之间的该阱区上。
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号