发明名称 |
一种C<sub>f</sub>/SiC陶瓷基复合材料连接方法 |
摘要 |
一种Cf/SiC陶瓷基复合材料连接方法,属于复合材料连接技术领域,该连接方法选用Ti-Zr-Be合金作为连接材料,在不施加压力的真空条件下,950℃~1050℃保温5~120分钟,通过连接材料中各元素与母材Cf/SiC陶瓷基复合材料中的C纤维和SiC基体反应,生成高熔点TiC、ZrC、Ti-Si-C、Be2C等碳化物相,形成类似颗粒增强金属基复合材料的连接层,降低连接层的热膨胀系数,缓解接头热应力,提高接头耐高温性能。本发明具有工艺方法简单,连接材料制备容易,成本低,接头性能好等优点。 |
申请公布号 |
CN102924109A |
申请公布日期 |
2013.02.13 |
申请号 |
CN201210397803.6 |
申请日期 |
2012.10.18 |
申请人 |
北京科技大学 |
发明人 |
黄继华;孙晓伟;汪一卉;崔冰;陈树海;赵兴科;张华 |
分类号 |
C04B37/00(2006.01)I |
主分类号 |
C04B37/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 |
代理人 |
于永进 |
主权项 |
一种Cf/SiC陶瓷基复合材料的连接方法,其特征在于具体连接步骤如下:1). Cf/SiC陶瓷基复合材料的待焊表面用细砂纸打磨,去除待焊表面杂物,将磨好的Cf/SiC陶瓷基复合材料试样放入酒精中用超声波清洗1~5min中,并准备好Ti‑Zr‑Be合金,其成分为Ti50.83at.%、Zr26.67at.%、Be22.5at.%;2).将准备好的待焊接件以Cf/SiC/Ti‑Zr‑Be合金/Cf/SiC的形式放入真空钎焊炉的中,当真空度达到6.0×10‑3Pa以上,开始加热,加热升温速率为10℃/min~15℃/min,升高到950℃~1050℃的连接温度,保温5~120分钟后,随炉冷却即得到连接接头。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路30号 |