| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件可以在用于形成具有大的高宽比的开放区域的工艺期间防止衬底不暴露以及弓形轮廓的产生。所述半导体器件包括：第一材料层，所述第一材料层形成在衬底之上；开放区域，所述开放区域形成在所述第一材料层中，暴露出所述第一材料层；第二材料层，所述第二材料层是通过对所述第一材料层执行表面处理而在所述开放区域的侧壁上形成的；以及导电层，所述导电层形成在所述开放区域的内部。 | ||
| 申请公布号 | CN102931194A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201210115771.6 | 申请日期 | 2012.04.19 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李圣权;宣俊劦;金寿永;方钟植 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;许伟群 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括第一材料层，所述第一材料层形成在衬底之上；开放区域，所述开放区域形成在所述第一材料层中，暴露出所述第一材料层；第二材料层，所述第二材料层是通过对所述第一材料层执行表面处理而在所述开放区域的侧壁上形成的；以及导电层，所述导电层形成在所述开放区域的内部。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||