发明名称 一种高阻尼Mg-Si多孔复合材料及制备方法
摘要 本发明是一种高阻尼Mg-Si多孔复合材料及制备方法,特别是一种通过常压高温反应烧结工艺制备的Mg-Si多孔复合材料,采用密封容器作为承载体,将含Si重量百分比含量为15%~30%的镁粉装入容器中并密封,防止空气与粉末接触,烧结温度为690~700℃,烧结时间为2~3小时。在该烧结过程中Mg和Si通过原位内生法生成Mg2Si颗粒并形成多孔复合材料,这种多孔材料具有高阻尼性能。本发明可进一步推动高阻尼镁合金在航空、航天、交通等众多领域的广泛应用并产生较大的社会效益和经济效益。
申请公布号 CN102925735A 申请公布日期 2013.02.13
申请号 CN201210469313.2 申请日期 2012.11.20
申请人 华东交通大学 发明人 万迪庆;刘雅娟;于田
分类号 C22C1/08(2006.01)I;C22C23/00(2006.01)I 主分类号 C22C1/08(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种高阻尼Mg‑Si多孔复合材料及制备方法,其制备方法为以纯镁粉为基体,加入纯硅粉并通过控制烧结温度、烧结时间、硅含量,采用常压高温反应烧结工艺制备Mg‑Si金属多孔复合材料,该多孔材料具有高阻尼性能。
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