| 发明名称 | NOR Flash器件制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种NOR Flash器件制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底上具有第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层上形成第一硬掩膜层；采用干法刻蚀工艺对第一硬掩膜层进行刻蚀形成第一开口，且在对第一硬掩膜层进行刻蚀之前对连接刻蚀腔体的气体管路进行清洗；在所述第一硬掩膜层上形成第二硬掩膜层，且所述第二硬掩膜层覆盖所述第一开口的底部及侧壁；采用自对准工艺对第二硬掩膜层进行刻蚀形成第二开口，所述第二开口的宽度小于所述第一开口的宽度；采用自对准工艺对第一多晶硅层进行刻蚀形成浮栅。本发明所提供的NOR Flash器件制作方法，可提高NOR Flash器件的良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN102931143A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201110228111.4 | 申请日期 | 2011.08.10 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 陈亚威;简志宏 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮;李辰 |
| 主权项 | 一种NOR Flash器件制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层上形成第一硬掩膜层；采用干法刻蚀工艺对第一硬掩膜层进行刻蚀形成第一开口，且在对第一硬掩膜层进行刻蚀之前对连接刻蚀腔体的气体管路进行清洗；在所述第一硬掩膜层上形成第二硬掩膜层，且所述第二硬掩膜层覆盖所述第一开口的底部及侧壁；采用自对准工艺对第二硬掩膜层进行刻蚀形成第二开口，所述第二开口的宽度小于所述第一开口的宽度；采用自对准工艺对第一多晶硅层进行刻蚀形成浮栅。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||