| 发明名称 | 场效应晶体管、包括场效应晶体管的逻辑电路及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种场效应晶体管、包括场效应晶体管的逻辑电路及制造方法。所述场效应晶体管可包括：双极性层，包括源区、漏区以及源区和漏区之间的沟道区，其中，源区、漏区以及沟道区以单片结构形成；栅电极，位于沟道区上；绝缘层，隔离栅电极与双极性层，其中，在与第一方向相交的第二方向上，源区和漏区的宽度大于沟道区的宽度，源区和漏区在第一方向上彼此连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101325218B | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN200810110124.X | 申请日期 | 2008.06.10 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郑现钟;郑兰珠;徐顺爱;金东彻;李章元 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 郭鸿禧;罗延红 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管，包括：双极性层，包括源区、漏区以及源区和漏区之间的沟道区，其中，源区、漏区以及沟道区以单片结构形成；栅电极，位于沟道区上；绝缘层，隔离栅电极与双极性层，其中，在与第一方向相交的第二方向上，源区和漏区的宽度大于沟道区的宽度，源区和漏区在第一方向上彼此连接，其中，第二方向与第一方向垂直相交，其中，与靠近漏区相比，栅电极更靠近源区形成，使得所述场效应晶体管为n型。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416 | ||