| 发明名称 |
掺钕硼钼酸镧激光晶体及其制备方法 |
| 摘要 |
掺钕硼钼酸镧激光晶体及其制备方法，属于人工晶体领域。该激光晶体属于单斜晶系，分子式为Nd3+:LaBMoO6，Nd3+掺杂浓度在0.5at.-15at.％之间。该激光晶体采用提拉法生长，生长温度1090℃，晶体转速10～30转/分钟，拉速0.5～1毫米/小时。该晶体是一种新型的激光晶体，可产生1060nm和900nm左右波长的激光输出。本发明制备工艺简单、生长速度快、成本低廉；所生长晶体具有硬度大、组分均匀、尺寸大和光学质量好的优点。 |
| 申请公布号 |
CN101498044B |
申请公布日期 |
2013.02.13 |
| 申请号 |
CN200810070570.2 |
申请日期 |
2008.01.31 |
| 申请人 |
中国科学院福建物质结构研究所 |
发明人 |
王国富;赵旺;林州斌;张莉珍 |
| 分类号 |
C30B29/32(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/32(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.掺钕硼钼酸镧激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Nd<sup>3+</sup>:LaBMoO<sub>6</sub>，Nd<sup>3+</sup>掺杂浓度在0.5at.-15at.％之间，属于单斜晶系，空间群为P2<sub>1</sub>/c，晶胞参数为<img file="FSB00000788182200011.GIF" wi="306" he="53" /><img file="FSB00000788182200012.GIF" wi="281" he="53" /><img file="FSB00000788182200013.GIF" wi="271" he="57" />β＝115.697°，<img file="FSB00000788182200014.GIF" wi="281" he="57" />Dc＝4.915g/cm<sup>3</sup>。 |
| 地址 |
350002 福建省福州市杨桥西路155号 |
