| 发明名称 |
PROCEDE DE PREPARATION D'UNE SURFACE DE SUBSTRAT D'UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ISOPLANAR |
| 摘要 |
<P>La présente invention concerne un procédé de fabrication de dispositif semiconducteur. </P><P>Selon ce procédé, on prévoit en cours de fabrication, la formation de couches de silicium polycristallin de recouvrement qui sont disposées au-dessus de portions sélectionnées d'un substrat semiconducteur 12 et isolées du substrat ainsi que l'une de l'autre. </P><P>Application notamment à la fabrication de mémoires à accès aléatoire.</P>
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| 申请公布号 |
FR2382768(A1) |
申请公布日期 |
1978.09.29 |
| 申请号 |
FR19780002068 |
申请日期 |
1978.01.25 |
| 申请人 |
MOSTEK CORP |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/28;G11C11/35;G11C11/404;G11C11/412;H01L21/033;H01L21/306;H01L21/316;H01L21/32;H01L21/3205;H01L21/322;H01L21/336;H01L21/76;H01L21/768;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/04;H01L27/10;H01L27/108;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/30;H01L21/72;G11C11/40 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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