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发明名称
Epitaxial fabrication of fins for FinFET devices
摘要
A fin for a finFET is described. The fin is a portion of a layer of material, where, another portion of the layer of material resides on a sidewall.
申请公布号
US8373217(B2)
申请公布日期
2013.02.12
申请号
US201113212822
申请日期
2011.08.18
申请人
INTEL CORPORATION;CHANG PETER L. D.
发明人
CHANG PETER L. D.
分类号
H01L29/66
主分类号
H01L29/66
代理机构
代理人
主权项
地址
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