发明名称 Epitaxial fabrication of fins for FinFET devices
摘要 A fin for a finFET is described. The fin is a portion of a layer of material, where, another portion of the layer of material resides on a sidewall.
申请公布号 US8373217(B2) 申请公布日期 2013.02.12
申请号 US201113212822 申请日期 2011.08.18
申请人 INTEL CORPORATION;CHANG PETER L. D. 发明人 CHANG PETER L. D.
分类号 H01L29/66 主分类号 H01L29/66
代理机构 代理人
主权项
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