互补金氧半导体制程之金属闸极电晶体及其制造方法

摘要

本发明提供一种用于形成一半导体装置(100)的方法，其包括提供一具有一第一区域(104)的半导体基板、在该第一区域上形成一闸极介电质(108)、在该闸极介电质上形成一导电金属氧化物(110)、在该导电金属氧化物上形成一抗氧化阻障层(111)及在该抗氧化阻障层上形成一覆盖层(116)。在一项具体实施例中，该导电金属氧化物系IrO2、MoO2及RuO2，且该抗氧化阻障层包含TiN。