于半导体装置中形成应变通道之方法

摘要

一种于半导体装置中形成应变通道之方法，包括下列步骤：提供一电晶体，该电晶体包括：一闸极堆叠物，具有设置于一半导体基底上之一闸极；一对源极/汲极区，设置于邻近该闸极堆叠物之对应侧之该半导体基底内；以及一间隔物，对应地设置于该闸极堆叠物之一侧壁上。接着形成一保护层，覆盖该闸极与该间隔物。接着于该些源极/汲极区内分别形成一凹陷区，其中该凹陷区之一边对准于该间隔物之一外侧边。接着于该些凹陷区内填入一应变诱发材料，以于介于该些源极/汲极区之间之该半导体基底内形成一应变通道区。