| 摘要 |
本发明之目的在于提供一种半导体装置，其于形成有主要电路之半导体晶片上将小电容非挥发性记忆单元配置为阵列状，且将构成非挥发性记忆体之复数个非挥发性记忆单元MC配置为阵列状，并以各位元为单位电性连接记忆单元选择用之选择MIS．FETQS。非挥发性记忆单元MC包含资料写入用之MIS．FETQW、资料读取用MIS．FETQR以及电容部C。该MIS．FETQW、QR之闸极电极GW、GR以及电容部C之电容电极CE由相同浮动闸极电极FG之一部分而构成。非挥发性记忆单元MC之控制闸极电极由电容电极CE对向之n井NW1之一部分而形成。 |
