蚀刻方法及蚀刻装置

摘要

本发明的一种蚀刻方法，属于对于在含矽材料所成的底层上形成有含钨材料所成的蚀刻对象层的被处理体，在可施以真空抽引的处理容器内存在电浆之状态下施加蚀刻处理的蚀刻方法，其特征为：作为上述蚀刻时的气体，使用含有氯气体及含有氧气体及含有氮气体。