| 摘要 |
本发明系提供一种应用于光电、半导体产业之真空环境用高均温性分区控温加热器，所述加热器系藉以设置于一晶片或晶片载板下方，以对该晶片或晶片载板进行加热；其特点主要在于所述加热器之热板分区组设有加热构件可各自调节其温度，俾构成一可分区控温之加热器；藉此，所述加热器使用上将可依据实际制程条件各别调控该热板各区域温度，以使该载板温度能够确实维持于较佳均匀稳定状态，以获致最佳制程结果而确具实用进步性及较佳产业利用效益；且应用于真空镀膜场合，若有大面积范围内置放于各区之晶片表面成膜厚度须达均一化之加工要求时，藉由所述分区控温之功能，将可独立调整晶片载板上各区域晶片温度或单一晶片各区域温度，间接达成调整对应区域之镀膜速率，以达到整体范围膜厚均一性之优点。 |
