发明名称 |
记忆体装置及其操作记忆体的方法 |
摘要 |
一种记忆体装置及其操作记忆体的方法。此记忆体装置包括复数个记忆体胞,且每个记忆体胞都与相邻的记忆体胞共用一个源极/汲极区。此方法施加一电子流至两个记忆体胞之间的一个源极/汲极区,使得当欲程式化之记忆体胞在其邻近的记忆体胞具有高临界电压时,仍然有足够的电子将所述记忆体胞程式化,进而降低记忆体胞在被程式化速率上的歧异度。 |
申请公布号 |
TWI385668 |
申请公布日期 |
2013.02.11 |
申请号 |
TW097142755 |
申请日期 |
2008.11.05 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
发明人 |
蔡文哲;欧天凡;黄竣祥 |
分类号 |
G11C16/10 |
主分类号 |
G11C16/10 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |