发明名称 记忆体装置及其操作记忆体的方法
摘要 一种记忆体装置及其操作记忆体的方法。此记忆体装置包括复数个记忆体胞,且每个记忆体胞都与相邻的记忆体胞共用一个源极/汲极区。此方法施加一电子流至两个记忆体胞之间的一个源极/汲极区,使得当欲程式化之记忆体胞在其邻近的记忆体胞具有高临界电压时,仍然有足够的电子将所述记忆体胞程式化,进而降低记忆体胞在被程式化速率上的歧异度。
申请公布号 TWI385668 申请公布日期 2013.02.11
申请号 TW097142755 申请日期 2008.11.05
申请人 旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 发明人 蔡文哲;欧天凡;黄竣祥
分类号 G11C16/10 主分类号 G11C16/10
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号