| 摘要 |
本发明提供一种可靠方法来制造一种具有增进的光输出量之新的垂直结构复合半导体装置，以及一用于大量生产氮化镓基复合半导体装置之雷射剥离(LLO)制程。本发明之一架构系在雷射剥离之前采用藉由一电镀方法进行直接金属支撑基片沉积，以形成一n侧上方垂直结构。此外，采用一氧化铟锡分散式布拉格反射器(ITO DBR)层紧邻于一p型接点层，以藉由较高的反射率来提升光输出量。亦采用一穿孔式金属晶圆载体来进行晶圆接合以易于处理及解除接合。相较于知雷射剥离式垂直装置制造，此新颖制程系更为可靠。具有n侧上结构之新垂直装置的光输出量会比藉由相同的氮化镓/氮化铟镓磊晶薄膜所形成之横侧装置高出两或三倍。 |
