| 摘要 |
本发明的各种实施例提供改善之处理及系统，该改善之处理及系统产生随着膜厚度增大而氮浓度降低之阻障层。随着膜厚度而降低氮浓度之阻障层，使得阻障层中具有高浓度氮的一端可以与介电层有良好附着，而阻障层中具有低浓度氮(或富含金属)之一端可与铜有良好附着。提供一种将阻障层沉积在内连线结构上的例示性方法。该方法包含：(a)提供一原子层沉积环境；(b)在该原子层沉积环境中之第一阶段的沉积期间，将具有第一氮浓度之阻障层沉积在内连线结构上。该方法更包含：(c)在该原子层沉积环境中之第二阶段的沉积期间，持续将具有第二氮浓度之阻障层沉积在内连线结构上。 |
