半导体装置及其制造方法、以及显示装置及其制造方法

摘要

本发明之半导体装置19－1具备：源极3s及汲极3d，其系设置于基板1上者；绝缘性隔壁5，其系具备第1开口5a且设置于基板1上者，该第1开口系到达源极3s及汲极3d之端部与该等电极3s－3d间；通道部半导体层7a，其系由从隔壁5之上部所成膜之半导体层7构成，以与隔壁5上之半导体层7断开之状态设置于第1开口5a之底部者；闸极绝缘膜9，其系从包含通道部半导体层7a之半导体层7上成膜于整个面者；及闸极11a，其系以重叠于通道部半导体层7a上之状态设置于闸极绝缘膜9上者。